PM516BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM516BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 9.1 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 71 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM516BA
PM516BA Datasheet (PDF)
pm516ba.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PM516BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = 4.5V20V 5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC3.5IDM20Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.9PDPower
pm516bz.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PM516BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = 4.5V20V 5ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC3.5IDM20Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.9PDPower Dis
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .