IRF1310NL Todos los transistores

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IRF1310NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF1310NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 42 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 73.3 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO262

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IRF1310NL Datasheet (PDF)

2.1. irf1310n.pdf Size:96K _international_rectifier

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PD - 91504A IRF1310N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.036? Fully Avalanche Rated G Description ID = 42A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, co

2.2. irf1310ns.pdf Size:156K _international_rectifier

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PD - 91514B IRF1310NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS =100V Surface Mount (IRF1310NS) Low-profile through-hole (IRF1310NL) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.036? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 42A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

 3.1. irf1310s.pdf Size:182K _international_rectifier

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PD - 9.1221 IRF1310S HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount VDSS = 100V Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.04? Repetitive Avalanche Rated 175C Operating Temperature ID = 41A Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-

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