PM516BZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM516BZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PM516BZ datasheet

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PM516BZ

PM516BZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30m @VGS = 4.5V 20V 5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 3.5 IDM 20 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9 PD Power Dis

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PM516BZ

PM516BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30m @VGS = 4.5V 20V 5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 3.5 IDM 20 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9 PD Power

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PM516BZ

N-Channel Enhancement Mode PM516BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 2. DRAIN 20V 30m 5A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C 5 Continuous Drain Curren

Otros transistores... P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, IRF520, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA