P2803HVG Todos los transistores

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P2803HVG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2803HVG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 107 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0275 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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P2803HVG Datasheet (PDF)

1.1. p2803hvg.pdf Size:324K _unikc

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P2803HVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 27.5mΩ @VGS = 10V 6.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TA = 25 ° C 6.5 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 ° C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Curre

5.1. p2803bmg.pdf Size:334K _unikc

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P2803BMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 28mΩ @VGS = 10V 6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA = 25 ° C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C 4 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 21 L = 0.

5.2. p2803nvg.pdf Size:547K _unikc

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P2803NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5mΩ @VGS = 10V 30V 7A N 34mΩ @VGS = -10V -30V -6A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N ±20 VGS Gate-Source Voltage P ±20 N 7 TC = 25 ° C P -6 ID Co

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