PV537BA Todos los transistores

 

PV537BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV537BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PV537BA Datasheet (PDF)

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PV537BA

PV537BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = -10V -30V -11ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-11IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-8.7AIDM-50Pulsed Drain C

Otros transistores... P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , 7N65 , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA .

History: SSM6K06FU | P4004ED | LNND04R120

 

 
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