P6002OAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P6002OAG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P6002OAG

P6002OAG Datasheet (PDF)

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p6002oag.pdf

P6002OAGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel60m @VGS = 4.5V20V 3.4A N115m @VGS = -4.5V-20V -2.5A PSOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 20VDSDrain-Source VoltageP -20VN 8VGSGate-Source VoltageP 8N 3.4TA = 25 CP -2.5

..2. Size:316K niko-sem
p6002oag.pdf

N- & P-Channel Enhancement Mode Field P6002OAG NIKO-SEM TSOP-6 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m N-Channel 20V 3.4A D1 S1 D26 5 4115m -2.5A P-Channel -20V G : GATE 1 2 3D : DRAIN S : SOURCE G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channe

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: