P6002OAG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P6002OAG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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P6002OAG datasheet

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P6002OAG

P6002OAG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 60m @VGS = 4.5V 20V 3.4A N 115m @VGS = -4.5V -20V -2.5A P SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 20 VDS Drain-Source Voltage P -20 V N 8 VGS Gate-Source Voltage P 8 N 3.4 TA = 25 C P -2.5

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P6002OAG

N- & P-Channel Enhancement Mode Field P6002OAG NIKO-SEM TSOP-6 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m N-Channel 20V 3.4A D1 S1 D2 6 5 4 115m -2.5A P-Channel -20V G GATE 1 2 3 D DRAIN S SOURCE G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channe

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