P6002OAG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P6002OAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для P6002OAG
P6002OAG Datasheet (PDF)
p6002oag.pdf

P6002OAGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel60m @VGS = 4.5V20V 3.4A N115m @VGS = -4.5V-20V -2.5A PSOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 20VDSDrain-Source VoltageP -20VN 8VGSGate-Source VoltageP 8N 3.4TA = 25 CP -2.5
p6002oag.pdf

N- & P-Channel Enhancement Mode Field P6002OAG NIKO-SEM TSOP-6 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m N-Channel 20V 3.4A D1 S1 D26 5 4115m -2.5A P-Channel -20V G : GATE 1 2 3D : DRAIN S : SOURCE G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channe
Другие MOSFET... PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , SPP20N60C3 , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D | MD50N50 | MD40N50 | FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381