P6002OAG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6002OAG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6002OAG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6002OAG даташит

 ..1. Size:794K  unikc
 p6002oag.pdf pdf_icon

P6002OAG

P6002OAG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 60m @VGS = 4.5V 20V 3.4A N 115m @VGS = -4.5V -20V -2.5A P SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 20 VDS Drain-Source Voltage P -20 V N 8 VGS Gate-Source Voltage P 8 N 3.4 TA = 25 C P -2.5

 ..2. Size:316K  niko-sem
 p6002oag.pdf pdf_icon

P6002OAG

N- & P-Channel Enhancement Mode Field P6002OAG NIKO-SEM TSOP-6 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m N-Channel 20V 3.4A D1 S1 D2 6 5 4 115m -2.5A P-Channel -20V G GATE 1 2 3 D DRAIN S SOURCE G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channe

Другие IGBT... PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, K3569, P6003QEA, P6004ED, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG