Справочник MOSFET. P6002OAG

 

P6002OAG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P6002OAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.14 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для P6002OAG

 

 

P6002OAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  unikc
 p6002oag.pdf

P6002OAG P6002OAG

P6002OAGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel60m @VGS = 4.5V20V 3.4A N115m @VGS = -4.5V-20V -2.5A PSOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 20VDSDrain-Source VoltageP -20VN 8VGSGate-Source VoltageP 8N 3.4TA = 25 CP -2.5

 ..2. Size:316K  niko-sem
 p6002oag.pdf

P6002OAG P6002OAG

N- & P-Channel Enhancement Mode Field P6002OAG NIKO-SEM TSOP-6 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m N-Channel 20V 3.4A D1 S1 D26 5 4115m -2.5A P-Channel -20V G : GATE 1 2 3D : DRAIN S : SOURCE G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top