P6015CDG Todos los transistores

 

P6015CDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P6015CDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de P6015CDG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P6015CDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  unikc
p6015cdg.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015CDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTC = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C15AIDM60Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 20E

 8.1. Size:446K  unikc
p6015csg.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015CSGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 21ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 12 VTC= 25 C21IDContinuous Drain Current2TC= 100 C13AIDM60Pulsed Drain Curren

 9.1. Size:517K  unikc
p6015ad.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015AD N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C25IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 20

 9.2. Size:342K  unikc
p6015av.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015AVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150V 60m @VGS = 10V 5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM22Pulsed Drain Current1I

Otros transistores... P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , IRLZ44N , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA .

History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
Back to Top

 


 
.