P6015CDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6015CDG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6015CDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6015CDG даташит

 ..1. Size:530K  unikc
 p6015cdg.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015CDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 15 A IDM 60 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 20 E

 8.1. Size:446K  unikc
 p6015csg.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015CSG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 150V 21A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 12 V TC= 25 C 21 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 13 A IDM 60 Pulsed Drain Curren

 9.1. Size:517K  unikc
 p6015ad.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 150V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 25 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 100 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 20

 9.2. Size:342K  unikc
 p6015av.pdf pdf_icon

P6015CDG

P6015AV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 60m @VGS = 10V 5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4 A IDM 22 Pulsed Drain Current1 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV, AON6380, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA