P6015CSG Todos los transistores

 

P6015CSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P6015CSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 240 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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P6015CSG Datasheet (PDF)

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P6015CSG

P6015CSGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 21ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 12 VTC= 25 C21IDContinuous Drain Current2TC= 100 C13AIDM60Pulsed Drain Curren

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P6015CSG

P6015CDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTC = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C15AIDM60Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 20E

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P6015CSG

P6015AD N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C25IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 20

 9.2. Size:342K  unikc
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P6015CSG

P6015AVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150V 60m @VGS = 10V 5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM22Pulsed Drain Current1I

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History: LSB55R050GT | HM10P10D

 

 
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