PK610SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK610SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK610SA
PK610SA Datasheet (PDF)
pk610sa.pdf
PK610SA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.8m @VGS = 10V 30V 83A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 83 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 52 IDM 150 Pulsed Drain Curren
pk610sa.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK610SA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D 30V 2.8m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V
Otros transistores... P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , AO4407 , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA .
History: PK618BA
History: PK618BA
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