PK610SA Todos los transistores

 

PK610SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK610SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK610SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  unikc
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PK610SA

PK610SAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.8m @VGS = 10V30V 83APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C83IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52IDM150Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:502K  niko-sem
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PK610SA

N-Channel Enhancement Mode PK610SANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D30V 2.8m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V

Otros transistores... P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , P60NF06 , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA .

History: ZXMN3B14FTA | SVF4N65RM | HUFA75645P3

 

 
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