PK610SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK610SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK610SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK610SA даташит

 ..1. Size:457K  unikc
 pk610sa.pdf pdf_icon

PK610SA

PK610SA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.8m @VGS = 10V 30V 83A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 83 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 52 IDM 150 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:502K  niko-sem
 pk610sa.pdf pdf_icon

PK610SA

N-Channel Enhancement Mode PK610SA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D 30V 2.8m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

Другие IGBT... P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, AO4407, PK612DZ, PK615BM6, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA, PK632BA, PK636BA