PK610SA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK610SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK610SA
PK610SA Datasheet (PDF)
pk610sa.pdf

PK610SAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.8m @VGS = 10V30V 83APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C83IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52IDM150Pulsed Drain Curren
pk610sa.pdf

N-Channel Enhancement Mode PK610SANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D30V 2.8m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V
Другие MOSFET... P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , P60NF06 , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA .
History: FDMS86183
History: FDMS86183



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3