PK610SA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK610SA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK610SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK610SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK610SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  unikc
 pk610sa.pdf pdf_icon

PK610SA

PK610SAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.8m @VGS = 10V30V 83APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C83IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52IDM150Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:502K  niko-sem
 pk610sa.pdf pdf_icon

PK610SA

N-Channel Enhancement Mode PK610SANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D30V 2.8m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V

Другие MOSFET... P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , IRFP450 , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA .

History: HSU0139 | TPCC8093 | 2N7002NXAK | HSU100P03 | OSG65R2K4DF

 

 
Back to Top

 


 
.