PK615BM6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PK615BM6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK615BM6

PK615BM6 Datasheet (PDF)

..1. Size:434K unikc
pk615bm6.pdf

PK615BM6N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.37ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.37IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.29IDM2.2Pulsed Drai

7.1. Size:436K unikc
pk615bma.pdf

PK615BMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.45ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.45IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.3IDM2.2Pulsed Drai

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Liste

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