PK615BM6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK615BM6  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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PK615BM6 datasheet

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PK615BM6

PK615BM6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 150V 0.37A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.37 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.29 IDM 2.2 Pulsed Drai

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PK615BM6

PK615BMA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 150V 0.45A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.45 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.3 IDM 2.2 Pulsed Drai

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