PK615BM6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK615BM6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK615BM6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK615BM6 даташит

 ..1. Size:434K  unikc
 pk615bm6.pdf pdf_icon

PK615BM6

PK615BM6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 150V 0.37A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.37 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.29 IDM 2.2 Pulsed Drai

 7.1. Size:436K  unikc
 pk615bma.pdf pdf_icon

PK615BM6

PK615BMA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 150V 0.45A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.45 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.3 IDM 2.2 Pulsed Drai

Другие IGBT... P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA, PK612DZ, 4N60, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA, PK632BA, PK636BA, PK650BA, PK664BA