Справочник MOSFET. PK615BM6

 

PK615BM6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK615BM6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для PK615BM6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK615BM6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  unikc
 pk615bm6.pdf pdf_icon

PK615BM6

PK615BM6N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.37ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.37IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.29IDM2.2Pulsed Drai

 7.1. Size:436K  unikc
 pk615bma.pdf pdf_icon

PK615BM6

PK615BMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.45ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.45IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.3IDM2.2Pulsed Drai

Другие MOSFET... P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , 10N65 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA .

History: 4N65F | CS20N50A8H | 2SK1377 | AP10TN004CMT | UT3N10G-AB3-R | 2SK3274S | INK0002AC1

 

 
Back to Top

 


 
.