PK626BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK626BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 584 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
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PK626BA Datasheet (PDF)
pk626ba.pdf
PK626BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.9m @VGS = 10V30V 110APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current3TC = 100 C69IDM150Pulsed Drain Cur
pk626ba.pdf
PK626BANIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 1.9m 150A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage
pk626hy.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PK626HY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 Q2 30V 2.4m 99A 2,3,4 : D1 5,6,7 : S2 Q1 30V 7m 43A 8 : G2 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V
Otros transistores... P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , K2611 , PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA .
Liste
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