PK650BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK650BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PK650BA datasheet

 ..1. Size:730K  unikc
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PK650BA

PK650BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3.3m @VGS = 10V 30V 70A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 44.6 IDM 100 Pulsed Drain Cur

 ..2. Size:264K  niko-sem
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PK650BA

PK650BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 3.3m 70A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Vol

 9.1. Size:575K  1
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PK650BA

Dual N-Channel Enhancement Mode PK650DY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2.8m 83A Q1 30V 11m 36A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1 G1 Optimized Gate Charge to Minimize Switch

 9.2. Size:575K  niko-sem
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PK650BA

Dual N-Channel Enhancement Mode PK650DY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2.8m 83A Q1 30V 11m 36A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1 G1 Optimized Gate Charge to Minimize Switch

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