PK6A6BA Todos los transistores

 

PK6A6BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK6A6BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK6A6BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  unikc
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PK6A6BA

PK6A6BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V40V 42APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C42IDContinuous Drain CurrentTc = 100 C26.6IDM100Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:259K  niko-sem
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PK6A6BA

PK6A6BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 8m 42A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 40 VGate-Source Voltage VGS

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History: SIHFR010 | FMP13N60E

 

 
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