PK6A6BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK6A6BA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6P
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PK6A6BA datasheet
pk6a6ba.pdf
PK6A6BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 40V 42A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 42 ID Continuous Drain Current Tc = 100 C 26.6 IDM 100 Pulsed Drain Curren
pk6a6ba.pdf
PK6A6BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 40V 8m 42A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS
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History: AFN8968
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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