PK6A6BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK6A6BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK6A6BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6A6BA даташит

 ..1. Size:470K  unikc
 pk6a6ba.pdf pdf_icon

PK6A6BA

PK6A6BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 40V 42A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 42 ID Continuous Drain Current Tc = 100 C 26.6 IDM 100 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:259K  niko-sem
 pk6a6ba.pdf pdf_icon

PK6A6BA

PK6A6BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 40V 8m 42A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS

Другие IGBT... PK618BA, PK626BA, PK632BA, PK636BA, PK650BA, PK664BA, PK696BA, PK698SA, IRF520, PK6B2BA, PK6H2BA, PA002FMA, PA002FMG, PA004EM, PA010HK, PA102FDG, PA102FMA