PA002FMG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA002FMG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PA002FMG datasheet

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PA002FMG

PA002FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -10 Pu

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PA002FMG

PA002FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -20 Pulsed Drain

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