PA002FMG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PA002FMG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PA002FMG Datasheet (PDF)
pa002fmg.pdf
PA002FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -10 Pu
pa002fma.pdf
PA002FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -20 Pulsed Drain
Другие MOSFET... PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , PK6H2BA , PA002FMA , 2N60 , PA004EM , PA010HK , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147



