PA002FMG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA002FMG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA002FMG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA002FMG даташит

 ..1. Size:513K  unikc
 pa002fmg.pdf pdf_icon

PA002FMG

PA002FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -10 Pu

 7.1. Size:503K  unikc
 pa002fma.pdf pdf_icon

PA002FMG

PA002FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -20 Pulsed Drain

Другие IGBT... PK650BA, PK664BA, PK696BA, PK698SA, PK6A6BA, PK6B2BA, PK6H2BA, PA002FMA, 2N60, PA004EM, PA010HK, PA102FDG, PA102FMA, PA102FMG, PA110BC, PA110BD, PA110BDA