PA004EM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA004EM 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT23
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PA004EM MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PA004EM datasheet
pa004em.pdf
PA004EM P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -10V -40V -2.7A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.1 IDM -25
Otros transistores... PK664BA, PK696BA, PK698SA, PK6A6BA, PK6B2BA, PK6H2BA, PA002FMA, PA002FMG, 8N60, PA010HK, PA102FDG, PA102FMA, PA102FMG, PA110BC, PA110BD, PA110BDA, PA110BL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870
