PA004EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA004EM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA004EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA004EM даташит

 ..1. Size:541K  unikc
 pa004em.pdf pdf_icon

PA004EM

PA004EM P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -10V -40V -2.7A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.1 IDM -25

Другие IGBT... PK664BA, PK696BA, PK698SA, PK6A6BA, PK6B2BA, PK6H2BA, PA002FMA, PA002FMG, 8N60, PA010HK, PA102FDG, PA102FMA, PA102FMG, PA110BC, PA110BD, PA110BDA, PA110BL