PA504EM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA504EM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PA504EM datasheet

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PA504EM

PA504EM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -1.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -1.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.1 IDM -9 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.5 PD

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PA504EM

PA504EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -2.7A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.7 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -2.1 A IDM -15 Pulsed Dra

Otros transistores... PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, PA406EM, PA410BD, PA502FMG, AOD4184A, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV