PA504EM Todos los transistores

 

PA504EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA504EM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de PA504EM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PA504EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  unikc
 pa504em.pdf pdf_icon

PA504EM

PA504EMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150m @VGS = -10V-40V -1.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-1.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-1.1IDM-9Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.5PD

 8.1. Size:489K  unikc
 pa504ev.pdf pdf_icon

PA504EM

PA504EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150m @VGS = -10V -40V -2.7ASOP- 8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.7IDContinuous Drain Current2TA = 70 C-2.1AIDM-15Pulsed Dra

Otros transistores... PA210BC , PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , AO4468 , PA504EV , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV .

 

 
Back to Top

 


 
.