2N7073 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7073

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 58 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO254ISO

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7073

2N7073 Datasheet (PDF)

5.1. 2n7076.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N7076 DESCRIPTION ·Drain Current –I =28A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =200V(Min) DSS ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V D

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