2N7073 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7073  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO254

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7073

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7073 даташит

 ..1. Size:106K  1
2n7073.pdfpdf_icon

2N7073

 9.1. Size:243K  1
2n7074.pdfpdf_icon

2N7073

 9.2. Size:214K  1
2n7075.pdfpdf_icon

2N7073

 9.3. Size:108K  1
2n7071.pdfpdf_icon

2N7073

Другие IGBT... 2N7058, 2N7060, 2N7061, 2N7063, 2N7064, 2N7066, 2N7071, 2N7072, AO3401, 2N7074, 2N7075, 2N7076, 2N7077, 2N7078, 2N7079, 2N7080, 2N7081