IRF2807 Todos los transistores

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IRF2807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF2807

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 82 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRF2807 Datasheet (PDF)

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1.2. irf2807s.pdf Size:124K _international_rectifier

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PD - 94170 IRF2807S IRF2807L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 13m? Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 82A Description S Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

1.3. irf2807z.pdf Size:173K _international_rectifier

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PD - 94659 IRF2807Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Process Technology VDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 9.4m? 175C Operating Temperature G Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 75A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest

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