PB210HV Todos los transistores

 

PB210HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB210HV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PB210HV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PB210HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  unikc
pb210hv.pdf pdf_icon

PB210HV

PB210HVDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1.6AIDM18Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:383K  unikc
pb210bd.pdf pdf_icon

PB210HV

PB210BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18EA

 9.2. Size:372K  unikc
pb210btf.pdf pdf_icon

PB210HV

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 230m @VGS = 10V 8ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18E

 9.3. Size:456K  unikc
pb210bv.pdf pdf_icon

PB210HV

PB210BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2.1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2.1IDContinuous Drain Current1TA = 70 C1.7AIDM17Pulsed Drain Curre

Otros transistores... PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , AON6414A , PK510BA , PK512BA , PK516BA , PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY .

History: TPCA8028-H | AP6P025S | CED02N6A | SI1067X | MTW4N80E | TPM7002ER3 | TPC8128

 

 
Back to Top

 


 
.