PK516BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK516BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK516BA
PK516BA Datasheet (PDF)
pk516ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK516BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 7m 51A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS
pk516ba.pdf
PK516BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = 10V 30V 51A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 51 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 32 IDM 120 Pulsed Drain Current1
Otros transistores... PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , AON6414A , PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY .
History: P5102FMNV
History: P5102FMNV
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468