PK516BA Todos los transistores

 

PK516BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK516BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK516BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  1
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PK516BA

N-Channel Enhancement Mode PK516BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 7m 51A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS

 ..2. Size:453K  unikc
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PK516BA

PK516BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = 10V30V 51APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C51IDContinuous Drain Current3TC = 100 C32IDM120Pulsed Drain Current1

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History: FG694301 | HAT2167N | FC8V36060L | RSS130N03TB | FC8V36120L | AM4438N | FG6K4206

 

 
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