PK516BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK516BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK516BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK516BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK516BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  1
 pk516ba.pdf pdf_icon

PK516BA

N-Channel Enhancement Mode PK516BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 7m 51A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS

 ..2. Size:453K  unikc
 pk516ba.pdf pdf_icon

PK516BA

PK516BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = 10V30V 51APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C51IDContinuous Drain Current3TC = 100 C32IDM120Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , IRFB4110 , PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY .

 

 
Back to Top

 


 
.