PK516BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK516BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK516BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK516BA даташит

 ..1. Size:240K  1
 pk516ba.pdf pdf_icon

PK516BA

N-Channel Enhancement Mode PK516BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 7m 51A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS

 ..2. Size:453K  unikc
 pk516ba.pdf pdf_icon

PK516BA

PK516BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = 10V 30V 51A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 51 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 32 IDM 120 Pulsed Drain Current1

Другие IGBT... PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV, PK510BA, PK512BA, AON6414A, PK527BA, PK552DX, PK600BA, PK608BA, PK608DY, PB544DU, PB544JU, PB554DY