PK608BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK608BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PK608BA datasheet

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PK608BA

PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt

 ..2. Size:441K  unikc
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PK608BA

PK608BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3.5m @VGS = 10V 40V 87A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 87 ID Continuous Drain Current2 Tc = 100 C 55 IDM 150 Pulsed Drain Curre

 ..3. Size:405K  niko-sem
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PK608BA

PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volta

 9.1. Size:819K  unikc
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PK608BA

PK608DY N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 7m @VGS =10V 30V 50A Q1 5.5m @VGS =10V 30V 58A Q2 1 G1 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 9 S1/D2 PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS Q1 30 VDS Drain-Source Voltage Q2 30 V Q1 20 VGS Gate-Sourc

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