PK608BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PK608BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PK608BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PK608BA даташит
pk608ba.pdf
PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt
pk608ba.pdf
PK608BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3.5m @VGS = 10V 40V 87A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 87 ID Continuous Drain Current2 Tc = 100 C 55 IDM 150 Pulsed Drain Curre
pk608ba.pdf
PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volta
pk608dy.pdf
PK608DY N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 7m @VGS =10V 30V 50A Q1 5.5m @VGS =10V 30V 58A Q2 1 G1 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 9 S1/D2 PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS Q1 30 VDS Drain-Source Voltage Q2 30 V Q1 20 VGS Gate-Sourc
Другие IGBT... PB210BV, PB210HV, PK510BA, PK512BA, PK516BA, PK527BA, PK552DX, PK600BA, 8205A, PK608DY, PB544DU, PB544JU, PB554DY, PB555BA, PB560DZ, PB600BA, PB606BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent





