PK608BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK608BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK608BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK608BA даташит

 ..1. Size:356K  1
pk608ba.pdfpdf_icon

PK608BA

PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt

 ..2. Size:441K  unikc
pk608ba.pdfpdf_icon

PK608BA

PK608BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3.5m @VGS = 10V 40V 87A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 87 ID Continuous Drain Current2 Tc = 100 C 55 IDM 150 Pulsed Drain Curre

 ..3. Size:405K  niko-sem
pk608ba.pdfpdf_icon

PK608BA

PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G 40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volta

 9.1. Size:819K  unikc
pk608dy.pdfpdf_icon

PK608BA

PK608DY N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 7m @VGS =10V 30V 50A Q1 5.5m @VGS =10V 30V 58A Q2 1 G1 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 9 S1/D2 PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS Q1 30 VDS Drain-Source Voltage Q2 30 V Q1 20 VGS Gate-Sourc

Другие IGBT... PB210BV, PB210HV, PK510BA, PK512BA, PK516BA, PK527BA, PK552DX, PK600BA, 8205A, PK608DY, PB544DU, PB544JU, PB554DY, PB555BA, PB560DZ, PB600BA, PB606BA