PB544DU Todos los transistores

 

PB544DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB544DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN2X3S

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PB544DU

 

PB544DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  unikc
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PB544DU

PB544DU N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 13.5m @VGS = 10V 20V 10A PDFN 2X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8.2 A IDM 40 Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:790K  unikc
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PB544DU

PB544JU Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 4.5V 20V 12.9A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 TDFN 2X3-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 V TA = 25 C 12.9 ID Continuous Drain Current TA=

 9.2. Size:273K  niko-sem
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PB544DU

Dual N-Channel Enhancement Mode PB544JU NIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 8 m 12.9A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V T

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