PB544DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PB544DU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: PDFN2X3S

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PB544DU datasheet

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PB544DU

PB544DU N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 13.5m @VGS = 10V 20V 10A PDFN 2X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8.2 A IDM 40 Pulsed Drain Curre

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PB544DU

PB544JU Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 4.5V 20V 12.9A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 TDFN 2X3-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 V TA = 25 C 12.9 ID Continuous Drain Current TA=

 9.2. Size:273K  niko-sem
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PB544DU

Dual N-Channel Enhancement Mode PB544JU NIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 8 m 12.9A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V T

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