PB544JU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PB544JU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X3-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PB544JU

PB544JU Datasheet (PDF)

..1. Size:790K unikc
pb544ju.pdf

PB544JUDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 4.5V20V 12.9A1,2:S13:G14:G25,6:S27:D1/D2TDFN 2X3-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 10 VTA = 25 C12.9IDContinuous Drain CurrentTA=

..2. Size:273K niko-sem
pb544ju.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PB544JUNIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 8 m 12.9A 1,2:S1 3:G1 4:G2 5,6:S2 7:D1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 10 VT

9.1. Size:193K unikc
pb544du.pdf

PB544DUN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID13.5m @VGS = 10V20V 10APDFN 2X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70C8.2AIDM40Pulsed Drain Curre

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