PE544JZ Todos los transistores

 

PE544JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE544JZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
 

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PE544JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  unikc
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PE544JZ

PE544JZDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8.5m @VGS = 4.5V20V 39APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TC = 25 C39TC = 100 C24IDContinuous Drain Current2TA = 25 C12ATA

 ..2. Size:292K  niko-sem
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PE544JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE544JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8.5m 20V 39A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Product

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History: OM60N10SC | CSD13302W | RU1Z120R | AOE6932 | FKV460S | NVMFD5C478N | RHU003N03

 

 
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