PE601CA Todos los transistores

 

PE601CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE601CA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

PE601CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  unikc
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PE601CA

PE601CAN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDChannel22m @VGS = 10V30V 20A N28m @VGS = -10V-30V -19A P100% UIS TestedPDFN 3X3P 100% Rg TestedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source Voltage VP -30N 20VGSGate-Source Voltage VP 2

 ..2. Size:532K  niko-sem
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PE601CA

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PE601CA NIKO-SEM PDFN 3x3P Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 22m 20A P-Channel -30V 28m -19A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

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History: TPU80R750C | AP60N2R5IN | WMQ46N03T1 | FDB6690S | NCEP070N10GU | RUH1H130S | STW24N60M2

 

 
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