PE601CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE601CA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PE601CA
PE601CA Datasheet (PDF)
pe601ca.pdf
PE601CAN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDChannel22m @VGS = 10V30V 20A N28m @VGS = -10V-30V -19A P100% UIS TestedPDFN 3X3P 100% Rg TestedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source Voltage VP -30N 20VGSGate-Source Voltage VP 2
pe601ca.pdf
N- & P-Channel Enhancement Mode Field PE601CA NIKO-SEM PDFN 3x3P Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 22m 20A P-Channel -30V 28m -19A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize
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History: OSG65R130HT3ZF
History: OSG65R130HT3ZF
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