APM4427K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4427K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Encapsulados: SOP8
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APM4427K datasheet
apm4427k.pdf
APM4427K P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D -30V/-4A, D RDS(ON) = 85m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 140m (typ.) @ VGS = -4.5V S S Reliable and Rugged S G SOP-8 Package Top View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powe
apm4420.pdf
APM4420 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S 1 8 D 30V/12.5A, RDS(ON)=6m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=10m (typ.) @ VGS=4.5V S 2 7 D Super High Dense Cell Design for S 3 6 D Extremely Low RDS(ON) G 45 D Reliable and Rugged SO-8 Package SO - 8 D Applications Power Management i
apm4429.pdf
APM4429 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-13A, RDS(ON) = 8m (typ.) @ VGS = -20V S 1 8 D RDS(ON) = 9m (typ.) @ VGS = -10V S 2 7 D RDS(ON) =13m (typ.) @ VGS = -4.5V S 3 6 D Super High Density Cell Design G 45 D Reliable and Rugged SO - 8 SO-8 Package S S S Applications
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History: SMG2334NE | H90N71P
🌐 : EN ES РУ
Liste
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