APM4427K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4427K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4427K
APM4427K Datasheet (PDF)
apm4427k.pdf
APM4427KP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A, DDDRDS(ON) = 85m(typ.) @ VGS = -10VDRDS(ON) = 140m(typ.) @ VGS = -4.5VSS Super High Density Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package( 1, 2, 3 ) Lead Free Available (RoHS Compliant)
apm4427k.pdf
APM4427K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD -30V/-4A,D RDS(ON) = 85m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 140m (typ.) @ VGS = -4.5VSS Reliable and Rugged SG SOP-8 PackageTop View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) S S SApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powe
apm4420.pdf
APM4420N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionS 1 8 D 30V/12.5A, RDS(ON)=6m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VS 2 7 D Super High Dense Cell Design for S 3 6 DExtremely Low RDS(ON)G 45 D Reliable and Rugged SO-8 Package SO - 8DApplications Power Management i
apm4429.pdf
APM4429 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-13A, RDS(ON) = 8m(typ.) @ VGS = -20VS 1 8 DRDS(ON) = 9m(typ.) @ VGS = -10VS 2 7 DRDS(ON) =13m(typ.) @ VGS = -4.5VS 3 6 D Super High Density Cell Design G 45 D Reliable and Rugged SO - 8 SO-8 PackageS S SApplications
apm4425k.pdf
APM4425KP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-11A, DDDRDS(ON) = 11m(typ.) @ VGS = -10VDRDS(ON) = 15m(typ.) @ VGS = -4.5VSS Super High Density Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package( 1, 2, 3 ) Lead Free Available (RoHS Compliant) S S S
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Liste
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