APM4427K Todos los transistores

 

APM4427K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4427K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4427K

 

APM4427K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  anpec
apm4427k.pdf

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APM4427KP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A, DDDRDS(ON) = 85m(typ.) @ VGS = -10VDRDS(ON) = 140m(typ.) @ VGS = -4.5VSS Super High Density Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package( 1, 2, 3 ) Lead Free Available (RoHS Compliant)

 ..2. Size:260K  sino
apm4427k.pdf

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APM4427K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD -30V/-4A,D RDS(ON) = 85m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 140m (typ.) @ VGS = -4.5VSS Reliable and Rugged SG SOP-8 PackageTop View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) S S SApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powe

 8.1. Size:140K  anpec
apm4420.pdf

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APM4420N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionS 1 8 D 30V/12.5A, RDS(ON)=6m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VS 2 7 D Super High Dense Cell Design for S 3 6 DExtremely Low RDS(ON)G 45 D Reliable and Rugged SO-8 Package SO - 8DApplications Power Management i

 8.2. Size:313K  anpec
apm4429.pdf

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APM4429 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-13A, RDS(ON) = 8m(typ.) @ VGS = -20VS 1 8 DRDS(ON) = 9m(typ.) @ VGS = -10VS 2 7 DRDS(ON) =13m(typ.) @ VGS = -4.5VS 3 6 D Super High Density Cell Design G 45 D Reliable and Rugged SO - 8 SO-8 PackageS S SApplications

 8.3. Size:156K  anpec
apm4425k.pdf

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APM4425KP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-11A, DDDRDS(ON) = 11m(typ.) @ VGS = -10VDRDS(ON) = 15m(typ.) @ VGS = -4.5VSS Super High Density Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package( 1, 2, 3 ) Lead Free Available (RoHS Compliant) S S S

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