APM4550J Todos los transistores

 

APM4550J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4550J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275(0.05) Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP8
 

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APM4550J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  anpec
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APM4550J

APM4550JDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/8A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of DIP - 8-30V/-7A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10VD1 D1 S2RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compl

 7.1. Size:263K  anpec
apm4550k.pdf pdf_icon

APM4550J

APM4550KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/7A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of SOP - 8-30V/-5A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10V(7) (8)(3)RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5VD1 D1 S2 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged(4) Lead Free Av

 7.2. Size:1612K  cn vbsemi
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APM4550J

APM4550KCwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG

 8.1. Size:265K  anpec
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APM4550J

APM4552KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1 D2 30V/7A,D2 RDS(ON) = 23m(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 34m(typ.) @ VGS = 4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-5A, S2G2 RDS(ON) = 46m(typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 62m(typ.) @ VGS =-4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design(6) (5)(8) (7)D2 D2D1 D1

Otros transistores... APM4532 , APM4532K , APM4534K , APM4536K , APM4538K , APM4542K , APM4548AK , APM4548K , IRF1010E , APM4550K , APM4552K , 2SK3096 , APM4568J , APM4568K , APM4588K , APM4800 , APM4804K .

History: SI4286DY | UPA2811T1L | AP9565AGJ | MDF5N50BTH | MDF18N50BTH | MDU1512RH | 2SK3440

 

 
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