APM7316 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM7316
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: SO8
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APM7316 datasheet
apm7316.pdf
APM7316 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=25m (typ.) @ VGS=4.5V S1 1 8 D1 RDS(ON)=40m (typ.) @ VGS=2.5V G1 2 7 D1 Super High Dense Cell Design for Extremely S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 Low RDS(ON) Reliable and Rugged SO-8 SO-8 Package D1 D1 D2 D2 Applications G1
apm7318.pdf
APM7318 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/8A , RDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=4.5V SO-8 RDS(ON)=30m (typ.) @ VGS=2.5V S1 1 8 D1 Super High Dense Cell Design for Extremely G1 2 7 D1 Low RDS(ON) S2 3 6 D2 Reliable and Rugged G2 45 D2 SO-8 Package Top View D1 D1 D2 D2 Applica
apm7314k.pdf
APM7314K Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 30V/8A, D1 D2 RDS(ON) =18m (typ.) @ VGS = 10V D2 RDS(ON) =23m (typ.) @ VGS = 4.5V S1 G1 Super High Dense Cell Design S2 G2 Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant) (8) (7) (6) (5) D1 D1
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