APM7512NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM7512NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM7512NG

APM7512NG Datasheet (PDF)

..1. Size:198K anpec
apm7512ng.pdf

APM7512NGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 75V/75A ,RDS(ON)= 9.1m (typ.) @ VGS= 10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)G S Top View of TO-263DApplications Power Management for Inverter SystemsGSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeAPM7512NG : TO-263

6.1. Size:184K anpec
apm7512nf.pdf

APM7512NFN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 75V/80A ,RDS(ON)= 9.1m (typ.) @ VGS= 10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) Top View of TO-220DApplicationsG Power Management for Inverter SystemsSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeAPM7512NF : TO-220Lead FreeOperating Junct

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: