APM7512NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM7512NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO263
APM7512NG Datasheet (PDF)
apm7512ng.pdf
APM7512NGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 75V/75A ,RDS(ON)= 9.1m (typ.) @ VGS= 10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)G S Top View of TO-263DApplications Power Management for Inverter SystemsGSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeAPM7512NG : TO-263
apm7512nf.pdf
APM7512NFN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 75V/80A ,RDS(ON)= 9.1m (typ.) @ VGS= 10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) Top View of TO-220DApplicationsG Power Management for Inverter SystemsSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeAPM7512NF : TO-220Lead FreeOperating Junct
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918