SIR164DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR164DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR164DP

SIR164DP Datasheet (PDF)

..1. Size:306K vishay
sir164dp.pdf

New ProductSiR164DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 40.6 nC New MOSFET Technology Optimized for 0.0032 at VGS = 4.5 V 50Ringing Reduction in Switching Application Powe

8.1. Size:207K vishay
sir164adp.pdf

SiR164ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 100 % Rg and UIS testedD 7D 6 Material categorization:5for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121APPLICATIONSD2 S Synchronous rectification3 S4 S1 High power density DC/DCGTop

9.1. Size:108K vishay
sir166dp.pdf

New ProductSiR166DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition0.0032 at VGS = 10 V 40g30 25 nC TrenchFET Power MOSFET0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

9.2. Size:487K vishay
sir168dp.pdf

SiR168DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0044 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4030 24.5 nC 100 % Rg Tested0.0059 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

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History: JCS2N60N

Liste

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