IRF460 Todos los transistores

 

IRF460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF460

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 140 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.31 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF460 Datasheet (PDF)

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IRF460
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RoHS IRF460 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 20A, 500Volts DESCRIPTION D The Nell IRF460 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 20A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

1.2. irf460.pdf Size:140K _international_rectifier

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PD -90467 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF460 500V, N-CHANNEL HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF460 500V 0.27? 21 The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achieves: very low

 

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