IRF460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF460

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 140 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.31 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF460 Datasheet (PDF)

1.1. irf460b irf460c.pdf Size:413K _upd

RoHS IRF460 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 20A, 500Volts DESCRIPTION D The Nell IRF460 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 20A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

1.2. irf460.pdf Size:140K _international_rectifier

PD -90467 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF460 500V, N-CHANNEL HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF460 500V 0.27? 21 The HEXFET?technology is the key to International Rectifier�s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest �State of the Art� design achieves: very low

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Liste

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