SSS5N60 Todos los transistores

 

SSS5N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSS5N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SSS5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1128K  shenzhen
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SSS5N60

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd N60SSS5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SSS5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high

 9.1. Size:502K  samsung
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SSS5N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsS

 9.2. Size:499K  samsung
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SSS5N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 2.300 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

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