IRF4905S Todos los transistores

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IRF4905S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF4905S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 74 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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IRF4905S Datasheet (PDF)

1.1. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

IRF4905S
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PD - 9.1478A IRF4905S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF4905S) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

3.1. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

IRF4905S
IRF4905S

PD - 9.1280C IRF4905 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resista

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