IRF4905S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF4905S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180(max) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRF4905S
IRF4905S Datasheet (PDF)
irf4905lpbf irf4905spbf.pdf

PD - 97034IRF4905SPbFIRF4905LPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V 150C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 20m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Some Parameters Are Differrent fromID = -42AIRF4905SS Lead-FreeDDDescriptionFeatures of this design are a 150C junction oper
irf4905spbf irf4905lpbf.pdf

PD - 97034IRF4905SPbFIRF4905LPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V 150C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 20m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Some Parameters Are Differrent fromID = -42AIRF4905SS Lead-FreeDDDescriptionFeatures of this design are a 150C junction oper
irf4905s.pdf

PD - 9.1478AIRF4905S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF4905S)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.02 Fast SwitchingG P-ChannelID = -74A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve
auirf4905s auirf4905l.pdf

AUIRF4905S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905L HEXFET Power MOSFET Features VDSS -55V Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET RDS(on) max. 20m Low On-Resistance ID (Silicon Limited) -70A 150C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) -42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D
Другие MOSFET... IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L , EMB04N03H , IRF510 , IRF510A , IRF510S , IRF511 , IRF512 , IRF513 , IRF520 , IRF520A .
History: BLF6G10LS-200RN
History: BLF6G10LS-200RN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG | JMSH0606PC | JMSH0606AU | JMSH0606AKQ | JMSH0606AK | JMSH0606AGQ | JMSH0606AG | JMSH0605AGDQ | JMSH0605AGD | JBL101N | JBL083M
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720