Справочник MOSFET. IRF4905S

 

IRF4905S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 120 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для IRF4905S

 

 

IRF4905S Datasheet (PDF)

1.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

IRF4905S
IRF4905S

PD - 97034 IRF4905SPbF IRF4905LPbF Features HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 150°C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 20mΩ Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Some Parameters Are Differrent from ID = -42A IRF4905S S Lead-Free D D Description Features of this design are a 150°C junction oper

1.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

IRF4905S
IRF4905S

PD - 9.1478A IRF4905S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF4905S) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

 3.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

IRF4905S
IRF4905S

PD - 94816 IRF4905PbF HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175°C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.02Ω G P-Channel Fully Avalanche Rated ID = -74A Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

3.2. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

IRF4905S
IRF4905S

PD - 9.1280C IRF4905 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resista

Другие MOSFET... IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L , 2SK105 , IRF510 , IRF510A , IRF510S , IRF511 , IRF512 , IRF513 , IRF520 , IRF520A .

 

 
Back to Top