1404TR Todos los transistores

 

1404TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1404TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 163 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 916 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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1404TR Datasheet (PDF)

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1404TR

GOFORD1404TRN-Channel MOSFETSDESCRIPTIONThe OGFD 1404TR uses advanced trenchVDSS RDS(ON) IDtechnology and design to provide excellent RDS(ON)40V 4m 190Awith low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.Features: High density cell design for ultra low Rdson. Fully characterized avalanche voltage and current. Good stability and uniformity

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