1404TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1404TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 220 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 190 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 24 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 916 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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1404TR Datasheet (PDF)

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GOFORD 1404TR N-Channel MOSFETS DESCRIPTION The OGFD 1404TR uses advanced trench VDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent R DS(ON) 40V 4mΩ 190A with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features: • High density cell design for ultra low Rdson. • Fully characterized avalanche voltage and current. • Good stability and uniformity

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Liste

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