1404TR Todos los transistores

 

1404TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1404TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 916 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO220

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1404TR datasheet

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1404TR

GOFORD 1404TR N-Channel MOSFETS DESCRIPTION The OGFD 1404TR uses advanced trench VDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent R DS(ON) 40V 4m 190A with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features High density cell design for ultra low Rdson. Fully characterized avalanche voltage and current. Good stability and uniformity

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