G1006 Todos los transistores

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G1006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1006

Código: G1006

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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G1006 Datasheet (PDF)

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GOFORD G1006A D Description The G1006A uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. S General Features Schematic diagram ● VDS = 100V,ID = 6A R < 210mΩ @ V =10V (Typ:140 mΩ) DS(ON) GS ● High densi

1.2. g1006.pdf Size:1363K _goford

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GOFORD G1006 D Description The G1006 uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features S ● Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 6A mΩ 100V 110 ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and curren

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