G1006A Todos los transistores

 

G1006A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1006A

Código: G1006A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.21 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1006A

 

 

G1006A Datasheet (PDF)

1.1. g1006a.pdf Size:2091K _goford

G1006A
G1006A

GOFORD G1006A D Description The G1006A uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. S General Features Schematic diagram ● VDS = 100V,ID = 6A R < 210mΩ @ V =10V (Typ:140 mΩ) DS(ON) GS ● High densi

5.1. g1006.pdf Size:1363K _goford

G1006A
G1006A

GOFORD G1006 D Description The G1006 uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features S ● Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 6A mΩ 100V 110 ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and curren

Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

Back to Top

 


G1006A
  G1006A
  G1006A
  G1006A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top