G1006A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1006A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de G1006A MOSFET
G1006A Datasheet (PDF)
g1006a.pdf

GOFORDG1006ADDescription The G1006A uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected.It is ESD protected.SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A R
g1006.pdf

GOFORDG1006DDescription The G1006 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)6Am100V 110 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren
g1006le.pdf

GOFORD G1006LEN-Channel Trench MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.Schematic diagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 3AG1006 RDS(ON) (at VGS = 10V)
Otros transistores... 1402TR , 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , 2SK3568 , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 .
History: NTGS3130N | IXTH39N10MB | SML6070CN
History: NTGS3130N | IXTH39N10MB | SML6070CN



Liste
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