G1006A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1006A
Código: G1006A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 7.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.21 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1006A
G1006A Datasheet (PDF)
1.1. g1006a.pdf 
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GOFORD G1006A D Description The G1006A uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. S General Features Schematic diagram ● VDS = 100V,ID = 6A R < 210mΩ @ V =10V (Typ:140 mΩ) DS(ON) GS ● High densi
5.1. g1006.pdf Size:1363K _goford
GOFORD G1006 D Description The G1006 uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features S ● Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 6A mΩ 100V 110 ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and curren
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