G2005K Todos los transistores

 

G2005K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2005K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO252

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G2005K datasheet

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G2005K

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G2005K

GOFORD G2005 Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 520m 200V 5A G2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

Otros transistores... G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , AON7410 , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 .

History: G2009 | G2009K | IXFN44N50U3

 

 

 

 

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