3400L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3400L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3400L

3400L Datasheet (PDF)

..1. Size:1442K goford
3400l.pdf

GOFORD3400LDESCRIPTION The 3400L uses advanced trench technology to provide Dexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a GBattery protection or in other Switching application. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V (Typ) (Typ)10V 3400L 3

0.1. Size:233K utc
ut3400l-ae2-r ut3400g-ae2-r ut3400l-ae3-r ut3400g-ae3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3400 Power MOSFET 5.8A, 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER 3MOSFET 21SOT-23(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3400 is an N-ch enhancement MOSFET providing 3the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This device can be operated with 2.5V low gate voltage. 2The UTC UT3400 is optimized for applications, such as a lo

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: