3400L Todos los transistores

 

3400L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3400L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23-3L

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3400L datasheet

 ..1. Size:1442K  goford
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3400L

GOFORD 3400L DESCRIPTION The 3400L uses advanced trench technology to provide D excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a G Battery protection or in other Switching application. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V (Typ) (Typ) 10V 3400L 3

 0.1. Size:233K  utc
 ut3400l-ae2-r ut3400g-ae2-r ut3400l-ae3-r ut3400g-ae3-r.pdf pdf_icon

3400L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3400 Power MOSFET 5.8A, 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER 3 MOSFET 2 1 SOT-23 (EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3400 is an N-ch enhancement MOSFET providing 3 the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This device can be operated with 2.5V low gate voltage. 2 The UTC UT3400 is optimized for applications, such as a lo

 0.2. Size:834K  jiejie micro
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3400L

JMTL3400L Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 5A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 , 30P10A , 30P55 , 3205PL , 3205TR , STP65NF06 , 3401A , 3401L , 40N10K , 40P04 , 45P40 , 50N03 , 5P40 , 60N04 .

History: 3205TR | 2N5523 | 2N7275 | 2N5520 | G100N04 | G1815

 

 

 

 

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